Microchip N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=230 mA, 3针, TO-92, 2N7008系列

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RS 库存编号:
916-3721
制造商零件编号:
2N7008-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

230mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-92

系列

2N7008

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.5Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1W

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

高度

5.33mm

长度

5.08mm

标准/认证

No

宽度

4.06mm

汽车标准

否

2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管


Microchip 2N7008 是增强模式（常闭）晶体管，利用垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。

特点


无次级击穿

低电源驱动要求

易于执行并联操作

低 CISS 和快速切换速度

极好的热稳定性

一体式电源漏极二极管

高输入阻抗和高增益

MOSFET 晶体管，Microchip


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