Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 230 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7008-G, 2N7008系列

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制造商零件编号:
2N7008-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

230mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-92

系列

2N7008

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

5.08mm

宽度

4.06 mm

高度

5.33mm

标准/认证

No

汽车标准

2N7008 N 通道 MOSFET 晶体管


Microchip 2N7008 是增强模式(常闭)晶体管,利用垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。

特点


无次级击穿

低电源驱动要求

易于执行并联操作

低 CISS 和快速切换速度

极好的热稳定性

一体式电源漏极二极管

高输入阻抗和高增益

MOSFET 晶体管,Microchip