Microchip N沟道耗尽型功率MOSFET, Vds=250 V, Id=1.1 A, 8针, DFN, DN2625系列

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RS 库存编号:
916-3725
制造商零件编号:
DN2625DK6-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.1A

最大漏源电压 Vd

250V

包装类型

DFN

系列

DN2625

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.5Ω

通道模式

耗尽

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.04nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.8V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

晶体管配置

单

最高工作温度

+150°C

高度

850μm

标准/认证

No

宽度

5.1mm

长度

5.1mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

DN2625 N 通道 MOSFET 晶体管


Microchip DN2625 是低阈值消耗模式（常开）MOSFET 晶体管，采用高级垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。

特点


低栅极阈值电压

设计用于电源驱动

低切换损耗

低有效输出电容

设计用于电感性负载

MOSFET 晶体管，Microchip


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