Microchip N沟道耗尽型功率MOSFET, Vds=250 V, Id=1.1 A, 8针, DFN, DN2625系列
- RS 库存编号:
- 916-3725P
- 制造商零件编号:
- DN2625DK6-G
- 制造商:
- Microchip
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- 916-3725P
- 制造商零件编号:
- DN2625DK6-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | DN2625 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 1.1A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 DN2625 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.04nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 5.1mm | ||
高度 0.85mm | ||
长度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
DN2625 N 通道 MOSFET 晶体管
Microchip DN2625 是低阈值消耗模式（常开）MOSFET 晶体管，采用高级垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。
特点
低栅极阈值电压
设计用于电源驱动
低切换损耗
低有效输出电容
设计用于电感性负载