IXYS , 1 N型, N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 12 A, TO-247, 通孔, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列, IXTH12N65X2
- RS 库存编号:
- 917-1457
- 制造商零件编号:
- IXTH12N65X2
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | X2-Class | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 180W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.45mm | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 16.24mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 X2-Class | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.7nC | ||
最大功耗 Pd 180W | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.45mm | ||
高度 5.3mm | ||
长度 16.24mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
N 沟道功率 MOSFET，IXYS X2-Class 系列
相较于前代功率 MOSFET 产品，IXYS X2 系列功率 MOSFET 在导通电阻和栅极电荷方面实现大幅降低，从而有效减少损耗并提升运行效率。这些坚固耐用的器件集成了本征二极管，适用于硬开关和谐振模式应用。X2-Class 功率 MOSFET 提供多种行业标准封装选项（含隔离型），额定参数高达 650V/120A。典型应用涵盖 DC-DC 转换器、交直流电机驱动、开关模式与谐振模式电源、直流斩波器、太阳能逆变器、温控及照明控制系统。
极低的 RDS(on) 和 QG（栅极电荷）
内置整流二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
行业标准封装
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 提供广泛的先进分立式功率 MOSFET 器件