IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- RS 库存编号:
- 917-1491P
- 制造商零件编号:
- IXTP8N65X2M
- 制造商:
- IXYS
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- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | X2-Class | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 32W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.9mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 16.07 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 X2-Class | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 32W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.9mm | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 16.07 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS X2 类系列
与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备