STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=68 A, 3针, TO-247, MDmesh M2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
917-3362
制造商零件编号:
STW70N60M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

68A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh M2

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

最大功耗 Pd

450W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

正向电压 Vf

0.98V

最高工作温度

150°C

长度

15.75mm

标准/认证

No

宽度

20.15mm

高度

5.15mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics


STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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