onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 917-5507P
- 制造商零件编号:
- FDS9431A
- 制造商:
- onsemi
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
增强模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor
在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。
特点和优势：
•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术
应用：
•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。