Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 1.8 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

品牌

Vishay

通道类型

P

最大连续漏极电流

1.8 A

最大漏源电压

200 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

3 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+150 °C

长度

10.67mm

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

宽度

9.65mm

最低工作温度

-55 °C

高度

4.83mm