Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 9 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚

品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

9 A

最大漏源电压

200 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

400 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

74 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-10 V、+10 V

最高工作温度

+150 °C

长度

10.41mm

典型栅极电荷@Vgs

40 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

宽度

4.7mm

最低工作温度

-55 °C

高度

9.01mm