Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=110 A, 3针, TO-263

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Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=110 A, 3针, TO-263, SUM110P06-08L系列
RS 库存编号
919-0922

个（每带 800 ）

RMB12,775.20

(不含税)

RMB14,435.98

(含税)

RS 库存编号:
919-0938
制造商零件编号:
SUM110P06-07L-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

110A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0088Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.5V

最大功耗 Pd

375W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

230nC

最高工作温度

175°C

高度

4.83mm

宽度

9.65mm

长度

10.41mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
TW
特点

• TrenchFET ® 功率 MOSFET

•具有低热阻的封装

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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