Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=12 V, Id=6 A, 3针, SOT-23, Si2333DDS系列

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Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=12 V, Id=6 A, 3针, SOT-23, Si2333DDS系列
RS 库存编号
787-9222

个（每托盘 10 ）

RMB31.57

(不含税)

RMB35.67

(含税)

RS 库存编号:
919-4220
制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

12V

包装类型

SOT-23

系列

Si2333DDS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

19Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.7W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

8V

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

标准/认证

No

长度

3.04mm

高度

1.02mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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