Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 23 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
919-4299
制造商零件编号:
SISS27DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

23A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

92nC

最大功耗 Pd

57W

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

宽度

3.3 mm

高度

0.78mm

长度

3.3mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor