Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=20 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
919-4334
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

15.6W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

隔离式

标准/认证

No

宽度

5mm

长度

5.99mm

高度

1.07mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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