Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=12 V, 4.3 A, 微型, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4713
制造商零件编号:: IRLML6401TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=12 V, 4.3 A, 微型, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRLML6401TRPBF
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	4.3A
	最大漏源电压 Vd	12V
	系列	HEXFET
	包装类型	微型
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	50mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	8 V
	最大功耗 Pd	1.3W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	高度	1.02mm
	宽度	1.4 mm
	长度	3.04mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 4.3A
	最大漏源电压 Vd 12V
	系列 HEXFET
	包装类型微型
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 50mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 8 V
	最大功耗 Pd 1.3W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	高度 1.02mm
	宽度 1.4 mm
	长度 3.04mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: PH

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，4.3A 最大连续漏极电流，1.3W 最大功率耗散 - IRLML6401TRPBF

这款 P 沟道 MOSFET 专为提高效率而设计，适合需要有效电源管理的应用。它采用 HEXFET 技术，导通电阻低，从而减少了运行过程中的功率损耗。坚固耐用的设计使其能够承受高温，适用于对性能要求极高的环境。

特点和优势

• 先进的加工工艺可实现极低的导通电阻

• 最大漏源电压为 12V

• 连续漏极电流能力为 4.3A

• 结温容差最高达 150°C

• 针对快速开关应用进行了优化，提高了效率

• 紧凑型 SOT-23 封装，适合节省空间的电路设计

应用

• 电池和负载管理系统

• 需要小尺寸元件的便携式电子设备

• PCMCIA 卡的电源管理解决方案

• 需要可靠开关的自动化系统

• 需要紧凑型表面贴装设计的电子电路

温度升高对性能有什么影响？

温度升高会增加导通电阻，从而可能降低效率。该设备可在高达 150°C 的温度下安全运行，在恶劣条件下也能保持功能正常。

栅极阈值电压对运行有何影响？

栅极阈值电压介于 0.4V 和 0.95V 之间，表示激活器件所需的最低电压。保持在此范围内可确保有效的负载切换。

该产品适合快速切换应用吗？

是的，MOSFET 可促进导通和关断状态之间的快速转换，减少能量损失，提高电路响应速度。

安装时应采取哪些预防措施？

建议在接近最大额定电流时使用合适的散热器，以防止过热。由于采用表面贴装设计，建议使用正确的焊接技术。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 4.3 A, 微型, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列