Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 1.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4735
- 制造商零件编号:
- IRLML2803TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥1,605.00
(不含税)
¥1,815.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.535 | RMB1,605.00 |
| 15000 + | RMB0.514 | RMB1,542.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4735
- 制造商零件编号:
- IRLML2803TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 250mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 540mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 250mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 540mW | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.3nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
高度 1.02mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，1.2A 最大连续漏极电流，540 mW 最大功率耗散 - IRLML2803TRPBF
这款 N 沟道 MOSFET 可为各种电子应用提供更高的性能和可靠性。它采用 Hexfet 技术设计，可在表面贴装配置中高效运行，适用于自动化和电气领域的紧凑型设计。低 RDS（on）和高持续漏极电流相结合，可在各种条件下实现最佳电源管理。
特点和优势
• 支持 1.2A 的最大连续漏极电流，可有效提高性能
• 最大漏极-源极电压高达 30V，用途广泛
• 250mΩ 的低最大漏极-源极电阻最大限度地降低了功率损耗
• 增强模式运行可实现高效切换功能
• 紧凑型 SOT-23 封装是空间受限应用的理想之选
• 可在高温下工作，最高工作温度可达 +150°C
应用
• 用于直流-直流转换器，实现有效的能源管理
• 用于电机控制电路，提高精度
• 适用于消费电子产品的电源开关
• 与自动化系统集成，实现高效负载管理
最佳栅极运行电压是多少？
该器件的最佳栅极电压为 +10V，可实现高效开关和性能。
它在高温下的性能如何？
该组件可在高达 +150°C 的温度下工作，确保了热条件下的可靠性。
它能处理脉冲漏极电流吗？
是的，它支持大大高于连续额定值的脉冲漏极电流，可承受短时浪涌电流。
建议该设备采用哪种安装方式？
建议使用表面贴装类型，因为它在电路设计中具有更好的散热性能和空间效率。
安装时应采取哪些预防措施？
要防止在运行过程中损坏，必须进行适当的热管理并遵守最大额定值。