Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 57 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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919-4775
制造商零件编号:
IRF3710PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

57A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

23mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

最大功耗 Pd

200W

最高工作温度

175°C

高度

8.77mm

标准/认证

No

长度

10.54mm

宽度

4.69 mm

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，57A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF3710PBF


这种 MOSFET 是一种耐用的功率半导体，在各种电子应用中至关重要。它专为高效率而设计，在需要低电阻和卓越热性能的环境中表现出色，因此对自动化和机械系统等领域的现代电子产品非常重要。

特点和优势


• 采用 HEXFET 技术，导通电阻低

• 可处理最大 57A 的连续漏极电流

• 在 100V 漏极-源极电压范围内有效运行

• 实现快速切换功能，提高整体性能

• 设计在 +175°C 的最高结温下运行

• 优化热管理，将发热量降至最低

应用


• 用于汽车动力系统，实现高效能源管理

• 适用于电源电路，提高能源效率

• 适用于大电流情况下的电机控制系统

• 有效用于工业自动化，在负载条件下保持性能稳定

该 MOSFET 的低导通电阻有何意义？


低导通电阻可减少功率损耗并提高效率，这对高性能应用至关重要。

它是否能在高温环境中使用？


是的，它能在最高 +175°C 的结温下有效工作，适合具有挑战性的应用。

栅极阈值电压对运行有何影响？


2V 至 4V 的栅极阈值电压可确保有效开关，从而在各种电路设计中实现精确控制。

该设备适合哪种安装方式？


该 MOSFET 用于通孔安装，便于在众多应用中安全安装。

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon


Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。