Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4794
- 制造商零件编号:
- IRF540NPBF
- 制造商:
- Infineon
库存信息目前无法查询
- RS 库存编号:
- 919-4794
- 制造商零件编号:
- IRF540NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 44 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 130 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.69mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.54mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 8.77mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，100V 最大漏极源极电压 - IRF540NPBF
这款 MOSFET 专为在各种电子应用中提供高效开关功能和电源管理而设计。该器件的最大连续漏极电流为 33A，最大漏极-源极电压为 100V。该元件采用 TO-220AB 封装，非常适合工业和商业用途，可确保在各种环境条件下的使用寿命和可靠性。
特点和优势
• 采用先进的加工工艺，实现低导通电阻
• 支持快速切换，实现高效运行
• 完全符合雪崩标准，可在恶劣条件下提高可靠性
• 栅极阈值电压范围宽，灵活性强
• 设计用于通孔安装，便于安装
应用
• 电源大电流开关的理想选择
• 用于自动化和控制系统
• 适用于电机控制和驱动电路
• 在可再生能源系统的逆变器和转换器方面卓有成效
该设备的低 RDS(on) 有什么意义？
低 RDS(on)可降低运行期间的功率损耗，从而提高效率，实现更好的热管理，并增强大电流应用的整体性能。
增强模式功能对其使用有何影响？
增强模式允许在施加特定栅极电压之前以低电流运行，因此对于需要精确控制的开关应用而言非常可靠。
TO-220AB 封装设计的重要性是什么？
TO-220AB 封装可确保有效散热，支持高功率耗散水平，同时便于在各种电路配置中安装。
这种 MOSFET 在极端温度下的性能如何？
它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，可在苛刻的环境中保持性能，即使在充满挑战的条件下也能确保可靠性。
它适合什么类型的开关应用？
它非常适合为需要快速开关的应用中的负载供电，如电机驱动系统、电源转换器和各种电子控制电路。