Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4808
- 制造商零件编号:
- IRFP064NPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4808
- 制造商零件编号:
- IRFP064NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 20.3mm | ||
宽度 5.3 mm | ||
长度 15.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，110A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRFP064NPBF
这款 MOSFET 是专为高效电源管理而设计的高性能电子元件。它可处理 110A 的连续漏极电流和 55V 的最大漏极-源极电压，因此适用于自动化、电子和电气行业。增强模式设计确保了在各种条件下的最佳性能，突出了其在当代电子系统中的作用。
特点和优势
• 8mΩ 的低导通电阻提高了效率
• 最大功率耗散为 200 瓦，确保运行稳定
• 可承受高达 +175°C 的工作温度
• 用途广泛，兼容负极和正极栅源电压
• 单晶体管配置支持多种应用
应用
• 用于要求高效率的电源电路中
• 常见于自动化电机控制系统中
• 适用于电信设备
• 适用于工业环境中的电力转换系统
该元件的最大耗散功率是多少？
最大功率耗散为 200 瓦，可支持各种应用的强劲性能。
它能在高温环境中工作吗？
是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，因此适用于具有挑战性的条件。
运行需要哪种类型的栅极电压？
该器件的最大栅极源极电压范围为 -20V 至 +20V，可提供灵活的控制选项。
渠道类型如何影响其性能？
N 沟道型适用于需要高效开关和大电流处理的应用。
是否适合通孔设计集成？
是的，它采用通孔安装类型的 TO-247AC 封装，可在各种设置中直接安装。