Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
919-4810
制造商零件编号:
IRFP250NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

HEXFET

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

214W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

123nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

15.9mm

宽度

5.3 mm

标准/认证

No

高度

20.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MX

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，214W 最大功率耗散 - IRFP250NPBF


这款功率 MOSFET 专为各种电子应用的高性能而设计。作为 N 沟道 MOSFET，它能在施加电压时有效增强电流。其显著特点是能够在保持低导通电阻的同时管理高电流水平，因此适用于功率密集型应用。

特点和优势


• 30A 的连续额定漏极电流支持强劲的性能

• 214 瓦的功率耗散能力可满足重型应用的需要

• 200V 的最大漏极-源极电压有助于提高器件的可靠性

• 75 mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行过程中的能量损耗

• 增强模式可改善电路应用中的控制和效率

• 与 TO-247AC 封装兼容，可无缝集成到现有系统中

应用


• 工业自动化电源

• 驱动电子电路中的大电流负载

• 可再生能源系统中的变流器和逆变器

• 电机控制 需要快速切换

这种 MOSFET 如何应对高温？


它的最高工作温度为 +175°C ，可在高热环境下有效工作，确保在压力下保持稳定的性能。

指定的抗药性有什么影响？


75 mΩ 的低 Rds(on) 值降低了功率损耗，提高了整体效率，并减少了使用过程中的发热量。

该设备是否适合脉冲应用？


是的，它可以处理高达 120A 的脉冲漏极电流，因此适合短时大电流应用。

运行期间如何管理栅极电压？


该器件的栅极到源极电压范围为 -20 V 至 +20 V，为各种控制电路提供了灵活性。

雪崩评级的意义何在？


单脉冲雪崩能量额定值为 315 mJ，这表明它能够承受短暂的能量浪涌，在故障条件下提供保护。