Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4817
制造商零件编号:: IRF640NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 919-4817
制造商零件编号:: IRF640NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	18A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	150mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	150W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	67nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	高度	8.77mm
	宽度	4.69 mm
	长度	10.67mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 18A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 150mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 150W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	高度 8.77mm
	宽度 4.69 mm
	长度 10.67mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MX

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，150W 最大功率耗散 - IRF640NPBF

这款 MOSFET 适用于高效开关应用，为各种电子系统提供可靠的解决方案。其 N 沟道配置可确保最小导通电阻和高可靠性，因此适用于工业和商业环境中的电源管理。该组件专为自动化和电气领域的用户设计，可确保其应用达到最佳性能。

特点和优势

• 连续漏极电流高达 18A，具有强大的功率处理能力

• 可在高达 200V 的电压下有效运行，提高了多功能性

• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的能量损耗

• 简化的驱动要求便于集成到电路中

• 完全符合雪崩标准，安全性能更佳

应用

• 用于工业自动化供电电路中

• 适用于电机控制机器人

• 太阳能逆变器等可再生能源系统的理想选择

• 用于电气设备的电源开关系统

• 用于音频设备的放大级

温度对性能有何影响？

该器件能在 -55°C 至 +175°C 温度范围内高效工作，可在各种热环境中使用而不会影响性能。

最大栅极-源极电压有何意义？

MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压电平，可确保安全运行并防止在开关操作期间造成损坏。

该元件能否处理突如其来的电压尖峰？

是的，它完全符合雪崩额定值，能够承受短暂的电压尖峰，从而提高了在具有挑战性的应用中的性能。

抗药性对总体效率有何影响？

低导通电阻大大降低了运行期间的功耗，从而提高了电源管理应用的能效。

是否适合表面贴装应用？

TO-220AB 封装专为通孔安装而设计，可确保有效散热，而非表面贴装。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列