Name: Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 14 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 919-4860
Price: 5.01 CNY
Availability: InStock

P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，14A 最大连续漏极电流，79W 最大功率耗散 - IRF9530NPBF

这款 MOSFET 专为自动化、电子和电气领域的高效应用而设计。其 P 沟道配置可提高开关性能，对电源管理系统至关重要。该设备可在各种环境下有效运行，在具有挑战性的条件下提供稳定的性能，是追求耐用性和效率的工程师和设计师的重要组件。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 14A，性能强劲
• 与高达 100V 的漏极-源极电压兼容，实现多功能性
• 200mΩ 的低导通电阻提高了电源效率
• TO-220AB 封装设计便于安装和散热
• 增强模式运行确保可靠的开关性能
• 4V 的高栅极阈值电压可实现有效控制

应用

• 适合集成到电源电路中
• 用于电机控制系统，提高效率
• 适用于电源转换器，加强能源管理
• 电源开关的理想选择在电子设备中
• 用于大电流驱动器电路，可靠性高

工作温度范围对使用有何影响？

该设备可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，在极端条件下也能正常工作，而不会影响性能。

最大功率耗散规范有什么影响？

该组件的最大功率耗散为 79W，可满足大量负载需求，确保在高性能环境中稳定运行并延长使用寿命。

能否并联使用以提高电流容量？

是的，它可以并联布置，以有效分配电流负载，前提是热管理得到适当解决。

安装时应采取哪些预防措施？

适当的散热对防止过热至关重要

必须确保热阻符合系统规格，以保证长期可靠性。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB4.437	RMB221.85
100 - 150	RMB4.36	RMB218.00
200 - 450	RMB4.251	RMB212.55
500 +	RMB4.144	RMB207.20

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	P
	最大连续漏极电流	14 A
	最大漏源电压	100 V
	封装类型	TO-220AB
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	200 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	79 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	每片芯片元件数目	1
	典型栅极电荷@Vgs	58 nC @ 10 V
	最高工作温度	+175 °C
	晶体管材料	Si
	高度	8.77mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 P
	最大连续漏极电流 14 A
	最大漏源电压 100 V
	封装类型 TO-220AB
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 200 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 79 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	每片芯片元件数目 1
	典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V
	最高工作温度 +175 °C
	晶体管材料 Si
	高度 8.77mm
	最低工作温度 -55 °C