Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
919-4867
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

35nC

最大功耗 Pd

68W

正向电压 Vf

-1.6V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

标准/认证

No

高度

8.77mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，19A 最大连续漏极电流，68W 最大功率耗散 - IRF9Z34NPBF


这款 P 沟道 MOSFET 专为在各种电子应用中实现一致的性能而设计。它的持续漏极电流额定值为 19A，漏极-源极电压为 55V，适用于现代电子系统中的自动化和电源管理。其强大的热特性使其能够在具有挑战性的环境中运行。

特点和优势


• 大电流容量满足重大负载要求

• 最大功率耗散为 68 瓦，提高了耐用性

• 增强模式设计支持高效开关性能

• 栅极电荷低，运行速度更快

• 有效的热特性可确保在高温条件下保持稳定的性能

• TO-220AB 封装便于集成到电路中

应用


• 适用于效率优先的电源电路

• 非常适合自动化系统中的电机控制

• 适用于高频开关方案

• 应用于电源管理系统以提高性能

该 MOSFET 的最高温度是多少？


它可以在 +175 °C 的最高温度下运行，同时保持高效和可靠性。

它如何处理栅极-源极电压变化？


它的最大栅极源极电压为 ±20V，为电路设计提供了灵活性。

低漏极-源极电阻有何意义？


最大漏极-源极电阻为 100 mΩ，可提高电源效率并减少发热。

它能用于高频应用吗？


是的，它支持快速开关，因为它在 10V 电压下的栅极电荷低至 35 nC。

Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V


Infineon的分立式HEXFET®功率MOSFET系列包括采用表面安装和引线封装的P通道器件，以及可应对几乎所有电路板布局和散热设计难题的外形尺寸。在整个系列内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。