Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4876
制造商零件编号:: IRF520NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 919-4876
制造商零件编号:: IRF520NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9.7A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	200mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	48W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	8.77mm
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9.7A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 200mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 48W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 8.77mm
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，9.7A 最大连续漏极电流，48W 最大功率耗散 - IRF520NPBF

这款 MOSFET 采用先进的 HEXFET 技术，可为各种应用提供高性能。它的持续漏极电流能力为 9.7A，最大漏极-源极电压为 100V，是电子电路的理想元件。其增强模式设计可确保在各种环境下高效运行，是自动化和电子领域专业人员的实用之选。

特点和优势

• 9.7A 的大电流容量提高了性能

• 坚固的设计确保了在极端条件下的功能性

• 200mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了功率损耗

• 快速切换功能提高了效率

• 与 TO-220AB 封装兼容，可直接安装

应用

• 自动化系统中的电源管理

• 切换电路中

• 提高效率的电机驱动电路

• 高频率电子学

低导通电阻对性能有何影响？

低导通电阻降低了发热量，提高了效率，从而最大限度地减少了能量损失，提高了电源应用的整体性能。

温度范围有何意义？

宽广的工作温度范围可确保在各种环境中保持稳定的性能，有效适应高温和低温应用。

该元件能否承受更高的短脉冲电流？

是的，它可以管理高达 38A 的脉冲漏极电流，因此适用于电子电路中的瞬态条件。

安装时有哪些注意事项？

确保按照数据表中的规定安装适当的散热片，以便在运行期间有效管理散热，尤其是在高负载条件下。

设备在快速开关条件下的性能如何？

其开关速度快，可在要求快速响应时间的应用中高效运行，是现代电子设计的多功能选择。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 9.7 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列