Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4882
制造商零件编号:: IRL540NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 919-4882
制造商零件编号:: IRL540NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	36A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	140W
	最大栅源电压 Vgs	16 V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	74nC
	最高工作温度	175°C
	高度	8.77mm
	标准/认证	No
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 36A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 140W
	最大栅源电压 Vgs 16 V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC
	最高工作温度 175°C
	高度 8.77mm
	标准/认证 No
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MX

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，36A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRL540NPBF

这种 MOSFET 是高性能电路的重要元件，设计用于有效处理高电流和高电压应用。它的最大漏源电压为 100V，适用于自动化和电子系统中的严苛环境。其强大的性能和可靠的运行可提高各种电气系统的效率。

特点和优势

• 36A 的连续漏极电流能力，可满足苛刻的应用要求

• 44mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行期间的功率损耗

• 增强模式设计可改善开关特性，提高效率

• 功率耗散额定值高达 140 瓦，可满足高性能应用需求

• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C ，用途广泛

• 通孔安装便于与现有系统集成

应用

• 工业自动化系统中的电源管理

• 机器人中的电机控制

• 可再生能源系统中的直流-直流转换器

• 需要高效开关功能的电源

• 有效配电的消费电子产品

最大额定电压和电流是多少？

最大漏极-源极电压为 100V，连续漏极电流为 36A。

低 Rds(on) 如何提高性能？

44mΩ 的低 Rds(on)可将功率耗散降至最低，从而提高效率并降低热负荷。

增强模式有何意义？

该模式可改善对运行的控制，实现高效切换和应用多样性。

它是否能在高温环境中使用？

是的，它能在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适用于极端条件。

如何安装才能达到最佳性能？

它采用通孔安装设计，可确保电路的安全安装和连接。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 36 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列