Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4886
制造商零件编号:: IRF9540NPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

可享批量折扣

小计（1 管，共 50 件）*

¥278.25

(不含税)

¥314.40

有库存

300 件将从其他地点发货
另外 1,000 件在 2026年1月22日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB5.565	RMB278.25
100 - 150	RMB5.278	RMB263.90
200 - 450	RMB5.119	RMB255.95
500 +	RMB5.069	RMB253.45

* 参考价格

RS 库存编号:: 919-4886
制造商零件编号:: IRF9540NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	23A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	117mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	97nC
	最大功耗 Pd	140W
	正向电压 Vf	-1.6V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.69 mm
	高度	8.77mm
	长度	10.54mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 23A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 117mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 97nC
	最大功耗 Pd 140W
	正向电压 Vf -1.6V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.69 mm
	高度 8.77mm
	长度 10.54mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，23A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRF9540NPBF

这款 P 沟道 MOSFET 适用于电子和自动化领域的高性能应用。它支持 23A 的最大连续漏极电流和 100 V 的漏极-源极电压，从而提高了电路效率。增强模式配置可对输出进行精确控制，因此适用于各种行业，包括电气和机械应用。

特点和优势

• 可处理高达 23A 的连续漏极电流，性能强劲

• 最大漏极-源极电压为 100V，可实现稳定运行

• 117 mΩ 的低最大漏极-源极电阻优化了能效

• 功率耗散可达 140 瓦，适用于高强度应用

• 10V 时的典型栅极电荷为 97 nC，支持快速开关

应用

• 应用于电源管理电路，实现高效能量转换

• 用于电机控制系统，实现精确调速

• 集成到电源电路中，提高运行可靠性

• 用于各种自动化系统，以实现有效的控制功能

最佳性能的温度范围是多少？

工作温度范围在 -55°C 至 +175°C 之间，可在各种环境条件下有效使用。

栅极阈值电压对运行有何影响？

栅极阈值电压在 2V 和 4V 之间变化，确保可靠的激活和响应控制信号的平稳运行。

安装时需要哪种安装方式？

这款 MOSFET 专为通孔安装而设计，便于集成到不同的电子组件中。

这种 MOSFET 能否用于高频应用？

是的，它适合高频开关应用，因为它具有低栅极电荷和快速开关能力。

低漏极-源极电阻有何意义？

117 mΩ 的低漏极-源极电阻最大限度地减少了运行期间的能量损耗，从而提高了整体能效。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 23 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列