Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 81 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 919-4892
制造商零件编号:: IRFP054NPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 81 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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* 参考价格

RS 库存编号:: 919-4892
制造商零件编号:: IRFP054NPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	81A
	最大漏源电压 Vd	55V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	12mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	170W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	130nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	5.3 mm
	高度	20.3mm
	长度	15.9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 81A
	最大漏源电压 Vd 55V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 12mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 170W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 130nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 5.3 mm
	高度 20.3mm
	长度 15.9mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: MX

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，81A 最大连续漏极电流，170W 最大功率耗散 - IRFP054NPBF

这款 MOSFET 为高速性能和高效电源管理提供了强大的解决方案。该器件采用 N 沟道配置，可确保在各种电子电路中可靠运行。它可承受高达 81A 的连续泄放电流和 55V 的额定电压，是自动化、电子和机械行业专业人士的理想选择。

特点和优势

• 81A 的最大连续漏极电流可支持高性能应用

• 12mΩ 的低导通电阻有助于提高效率

• 栅极阈值电压范围宽，可实现多种电路设计

• 170 瓦的高功率耗散能力可确保长时间运行

• 紧凑型 TO-247AC 封装简化了安装

应用

• 用于电源转换和电机控制系统

• 集成到电源和放大器电路中

• 适用于可再生能源系统，实现高效切换

• 适用于汽车，提高性能弹性

该设备的最大功率耗散能力是多少？

最大功率耗散额定值为 170W，可有效管理大量负载。

栅极阈值电压对运行有何影响？

栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，可与各种电路设计兼容，并确保在指定参数范围内高效运行。

这种 MOSFET 能否用于高温环境？

是的，它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，因此适用于具有挑战性的热条件。

使用低 RDS(on) 有什么好处？

12mΩ 的低 RDS(on)降低了发热量，提高了效率，这对高性能应用至关重要。

是否易于在现有电子系统中安装？

TO-247AC 封装类型专为通孔安装而设计，可直接安装在各种应用中。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 81 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列