Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
919-4898
制造商零件编号:
IRLZ34NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

35mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

68W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

高度

8.77mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，68W 最大功率耗散 - IRLZ34NPBF


这款高性能 N 沟道 MOSFET 专为提高各种电子应用的效率而设计。它的最大连续漏极电流为 30A，可处理高达 55V 的漏极-源极电压。增强的模式功能可确保在各种条件下运行，使其成为不同行业电源管理的重要组件。

特点和优势


• 35mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗

• 68 瓦的高功率耗散能力增强了性能

• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C ，确保了多功能性

• 5V 电压下的典型栅极电荷为 25nC ，开关速度更快

• 紧凑型 TO-220AB 封装实现了高效的 PCB 布局

应用


• 用于直流-直流转换器，实现高效功率转换

• 适用于工业自动化领域的电机驱动电路

• 有效的可再生能源电力管理系统

• 用于高速交换 电信

最大栅源电压是多少？


该器件可承受最大 ±16V 的栅源电压，确保在各种电路中安全运行。

温度对其性能有何影响？


MOSFET 可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内高效工作，在极端条件下也能保持稳定。

它能用于高频应用吗？


是的，它在 5V 电压下的典型栅极电荷为 25nC，因此适用于射频放大器等高频应用。

低 Rds(on) 有什么影响？


较低的 Rds(on) 值可显著减少发热和功率损耗，从而提高电源设计的整体效率。

它与各种电子电路兼容吗？


该器件用途广泛，可集成到不同的电路配置中，包括汽车和工业电力电子设备。