Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 33 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 919-4902
Price: 10.05 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	33 A
	最大漏源电压	100 V
	系列	HEXFET
	封装类型	TO-247AC
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	52 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	4V
	最小栅阈值电压	2V
	最大功率耗散	140 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	长度	15.9mm
	最高工作温度	+175 °C
	典型栅极电荷@Vgs	94 nC @ 10 V
	宽度	5.3mm
	最低工作温度	-55 °C
	高度	20.3mm

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 33 A
	最大漏源电压 100 V
	系列 HEXFET
	封装类型 TO-247AC
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 52 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 4V
	最小栅阈值电压 2V
	最大功率耗散 140 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	长度 15.9mm
	最高工作温度 +175 °C
	典型栅极电荷@Vgs 94 nC @ 10 V
	宽度 5.3mm
	最低工作温度 -55 °C
	高度 20.3mm

COO (Country of Origin):: MX

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRFP140NPBF

这种 MOSFET 在提高各种电子应用的效率和性能方面发挥着至关重要的作用。它可承受高电流和高电压，为自动化系统、电子和机械行业提供可靠的电源管理解决方案。它能够在极端条件下工作，确保了在众多应用中的多功能性。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 33A，增强了负载能力
• 漏源电压额定值高达 100V，可实现高效性能
• 最大漏极-源极电阻低至 52 mΩ，可实现高效运行
• 设计功率耗散为 140W，以管理散热条件
• 10V 电压下的典型栅极电荷为 94 nC，可实现快速开关速度

应用

• 开关电源的可靠使用
• 电机控制实现精确操作
• 大电流在电力转换系统中
• 集成到功率放大器中，提高信号放大率

该元件能承受的最大电压是多少？

它能承受 100V 的最大漏极-源极电压，适合高压应用。

栅极电荷对运行有何影响？

在 10V 电压下，典型的栅极电荷为 94 nC，有助于加快开关速度，提高电路效率。

该元件的热特性如何？

它可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，确保在不同环境下的可靠性。

该组件可用于自动化项目吗？

是的，它的高持续电流容量和额定电压是各种自动化应用的理想选择。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	Per Tube*
25 - 25	RMB8.895	RMB222.38
50 - 75	RMB8.772	RMB219.30
100 - 225	RMB8.458	RMB211.45
250 +	RMB8.198	RMB204.95