Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4915
- 制造商零件编号:
- IRF5210PBF
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 50 件）*
¥504.60
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.092 | RMB504.60 |
| 100 - 150 | RMB9.84 | RMB492.00 |
| 200 - 450 | RMB9.593 | RMB479.65 |
| 500 + | RMB9.354 | RMB467.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4915
- 制造商零件编号:
- IRF5210PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 8.77mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.54mm | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，40A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF5210PBF
这种 MOSFET 专为各种电气和电子应用而设计。它针对高效率进行了优化，可支持对电源管理至关重要的自动化和控制系统。其坚固的规格实现了精确的电路控制，确保了在具有挑战性的环境中的可靠性和效率。
特点和优势
• 40A 连续漏极电流可满足大功率应用需求
• 100V 最大漏极-源极电压提供了多功能操作性
• P 沟道设计简化了电路配置
• 增强模式功能有助于高效电源管理
• 最大功率耗散能力强，可提高散热性能
应用
• 工业自动化中的功率开关
• 用于高效供电的直流-直流转换器
• 精密电机控制电路
• 电子器件中的峰值功率处理方案
该组件的最高工作温度是多少？
该元件可在 +175°C 的最高温度下工作，因此适用于高温应用。
低导通电阻对电路性能有何益处？
低导通电阻降低了功率损耗，从而提高了能效并改善了热管理。
这是否适合应用于汽车系统？
是的，其坚固的规格和热特性使其适用于对可靠性要求极高的汽车应用。
它可以集成到哪些电路配置中？
该组件可无缝集成到各种配置中，包括单列和并列布置，使设计更加灵活。
如何安装才能确保最佳性能？
确保与散热器有适当的热接触，并遵守建议的 PCB 布局指南，以提高性能和可靠性。