Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 57 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4918
- 制造商零件编号:
- IRFP3710PBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 25 件）*
¥317.60
(不含税)
¥358.90
(含税)
有库存
- 625 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB12.704 | RMB317.60 |
| 50 - 75 | RMB12.323 | RMB308.08 |
| 100 + | RMB11.954 | RMB298.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4918
- 制造商零件编号:
- IRFP3710PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 57A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 25mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 190nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 57A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 25mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 190nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 20.3mm | ||
宽度 5.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，57A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRFP3710PBF
这款 MOSFET 专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。它采用 N 沟道配置，可处理高持续漏极电流，即使在高温条件下也能确保有效性能，并具有低导通电阻，因此适用于工业环境。
特点和优势
• 高连续漏极电流能力支持强大的性能
• 最大漏极-源极电压为 100V，增强了多功能性
• 25mΩ 的低 RDS(on)最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 200 瓦的高功率耗散能力可实现有效的能源管理
• 增强型晶体管可控制开关操作
• TO-247AC 封装便于集成到通孔应用中
应用
• 电源电路的理想选择
• 常见于电机控制系统中
• 适用于汽车电源管理解决方案
• 用于电池管理系统
该设备工作的最高温度是多少？
最高工作温度可达 +175°C ，可在高温环境下高效工作。
该设备如何处理大电流？
它支持 57A 的连续漏极电流，能够为高要求应用提供电源，而不会出现故障。
能否用于通孔设计？
是的，TO-247AC 封装允许通孔安装，简化了与各种电路板的集成。
这种 MOSFET 可以切换哪种负载？
该设备具有 200 瓦的高功率耗散，可管理较大的负载，适合重型应用。
是否与标准栅极电压兼容？
是的，它能在 2V 至 4V 的栅极阈值电压下有效工作，确保与各种驱动电路兼容。