Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-4924
- 制造商零件编号:
- IRF5305PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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| 100 - 150 | RMB5.116 | RMB255.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-4924
- 制造商零件编号:
- IRF5305PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.54mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.69 mm | ||
高度 8.77mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，31A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRF5305PBF
这款 MOSFET 专为高效电源应用而设计，具有灵活性和可靠性。其增强模式操作使其适用于各种需要受控开关的系统，尤其是工业和自动化环境。
特点和优势
• 31A 的连续漏极电流容量可满足苛刻的应用要求
• 额定电压为 55 伏，开关性能可靠
• 60mΩ 的低导通电阻降低了功率损耗
• TO-220AB 封装设计增强了散热性能
• 栅极源极电压范围为 ±20V，可满足各种应用需求
• 快速开关优化提高了整体系统效率
应用
• 用于电机控制系统，实现高效运行
• 适用于电源电路，性能稳定
• 集成到需要有效开关功能的电子设备中
• 适用于可再生能源系统
运行的温度范围是多少？
它的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于极端条件。
软件包类型对性能有何影响？
TO-220AB 封装热阻低，提高了运行期间的冷却效率。
它能处理脉冲漏极电流应用吗？
是的，它支持高达 110A 的脉冲漏极电流，确保了满足瞬态需求的足够性能。
这是什么类型的晶体管？
它是一款 P 沟道硅 MOSFET，专为高效应用而优化。
是否与自动化装配流程兼容？
是的，通孔设计允许集成到自动化系统和电路板中。