Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, LogicFET系列

RS 库存编号:: 919-4943
制造商零件编号:: IRL1004PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, LogicFET系列

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RS 库存编号:: 919-4943
制造商零件编号:: IRL1004PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	130A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TO-220
	系列	LogicFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	100nC
	最大栅源电压 Vgs	16 V
	最大功耗 Pd	200W
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	高度	8.77mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 130A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TO-220
	系列 LogicFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC
	最大栅源电压 Vgs 16 V
	最大功耗 Pd 200W
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	高度 8.77mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 LogicFET 系列 MOSFET，130A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRL1004PBF

这款高性能 MOSFET 采用硅技术，专为各种电子应用中的高效电源管理而设计。其增强型 N 沟道结构可确保有效运行，适用于现代自动化和电气系统，尤其是大功率电路。

特点和优势

• 连续泄放电流容量高达 130A

• 最大漏极-源极电压为 40V，确保性能强劲

• 7mΩ 的低 Rds(on)，可降低发热量

• 热稳定性高，最高工作温度可达 +175°C

• 采用紧凑型 TO-220AB 封装，可提供多种安装选项

应用

• 高效电源电路

• 汽车和工业自动化系统

• 能源管理和转换系统

Rds(on) 如何提高设备的效率？

7mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行过程中的功率损耗，从而降低了热量，提高了电源应用的整体效率。

工作温度范围有何意义？

该设备能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内工作，确保在各种环境条件下都能提供可靠的性能，并将热故障风险降至最低。

它能用于高频开关应用吗？

是的，它专为快速开关功能而设计，适合高频操作，从而提高了通信和控制系统的性能。

安装时有哪些注意事项？

采用适当的热管理技术，如合适的散热片，因为大功率设备需要有效的散热来保持功能性和可靠性。

如果栅极源极电压超过最大额定值会发生什么情况？

超过最大栅极-源极电压可能导致器件故障，因此必须遵守规定的限制，以确保使用寿命和防止损坏。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 130 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, LogicFET系列