Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 50 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
919-5019
制造商零件编号:
IRFP260NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

50 A

最大漏源电压

200 V

系列

HEXFET

封装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

40 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

长度

15.9mm

典型栅极电荷@Vgs

234 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

宽度

5.3mm

高度

20.3mm

最低工作温度

-55 °C

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，50A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IRFP260NPBF


这款 MOSFET 适用于大功率应用，可为各种电子系统提供高效率和高可靠性。凭借其增强模式设计和强大的电流处理能力，它在优化电路性能和有效管理热耗散方面发挥着至关重要的作用。

特点和优势


• 支持高达 50A 的连续泄放电流，性能强劲

• 最大漏极-源极电压为 200V 时仍能高效运行

• 增强模式设计提供了更好的控制性和多功能性

• 40mΩ 的低 Rds(on) 值减少了能量损失

• 设计用于通孔安装，便于安装

应用


• 用于电源电路，以管理大电流

• 适用于汽车 需要耐用的电子元件

• 应用于工业设备，实现有效的功率控制

• 常见于可再生能源系统中，以提高效率

该元件的最大耗散功率是多少？


功率耗散可高达 300W，确保在高负载条件下实现高效性能。

低 Rds(on) 如何提高电路效率？


40mΩ 的低 Rds(on)大大减少了传导损耗，提高了整体效率，并将运行期间的发热量降至最低。

在功率应用中使用这种 MOSFET 有哪些优势？


这款 MOSFET 可提供较高的连续漏极电流，并能在较宽的温度范围内有效工作，因此非常适合功率应用。

是否易于与电路中的其他元件一起安装？


通孔安装方式简化了与各种电路设计的集成，可直接与现有元件组装。

增强模式设计对性能有何影响？


增强模式设计确保器件只有在施加足够的栅极电压时才会导通，从而提高了开关效率，并减少了非活动期间不必要的电流。