Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 9.3 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 919-5025
- 制造商零件编号:
- IRF630NPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB3.639 | RMB181.95 |
| 100 - 150 | RMB3.575 | RMB178.75 |
| 200 - 450 | RMB3.486 | RMB174.30 |
| 500 + | RMB3.398 | RMB169.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 919-5025
- 制造商零件编号:
- IRF630NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 300mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 82W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.3A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 300mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 82W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.54mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 8.77mm | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，9.3A 最大连续漏极电流，82W 最大功率耗散 - IRF630NPBF
这款 N 沟道 MOSFET 专为自动化和电子行业的各种应用而设计。它具有最佳的功率耗散能力和高效性能，对高性能系统至关重要。它的最大漏极-源极电压为 200V，连续漏极电流为 9.3A，可确保在具有挑战性的电子环境中可靠运行。
特点和优势
• 高额定功率支持广泛的电气应用
• 高效设计可降低热阻，实现有效冷却
• 快速开关速度提高了动态系统的性能
• 简单的驱动要求有助于电路集成
• 完全符合雪崩标准，适合在恶劣条件下使用
应用
• 用于工业电源，以保持稳定的电压调节
• 应用于电机控制系统，实现高效功能
• 直流-直流转换器和电源管理电路的理想之选
• 用于暖通空调系统，控制压缩机电机
• 适用于可再生能源系统，提高能源效率
可施加的最大栅源电压是多少？
最大栅极源极电压为 ±20V，确保与各种电路设计兼容。
设备在运行期间如何处理散热？
它的功率耗散能力为 82W，可在使用时进行有效的热量管理。
是否建议采用特定的安装方式以获得最佳性能？
该 MOSFET 用于通孔安装，可促进可靠的热管理和电气连接。