IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 20 A, ISOPLUS247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar系列

品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

ISOPLUS247

系列

HiperFET, Polar

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

290 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

300 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

150 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

宽度

5.21mm

长度

16.13mm

最低工作温度

-55 °C

高度

21.34mm