IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 26 A, TO-264, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
920-0877
制造商零件编号:
IXFK26N120P
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-264

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

460mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

960W

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

225nC

最高工作温度

150°C

高度

26.16mm

标准/认证

No

宽度

5.13 mm

长度

19.96mm

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备