IXYS , 1 N型, N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=1000 V, 15 A, TO-247, 通孔, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Q3-Class系列, IXFH15N100Q3
- RS 库存编号:
- 920-0969
- 制造商零件编号:
- IXFH15N100Q3
- 制造商:
- IXYS
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- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1000V | |
| 系列 | HiperFET, Q3-Class | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.05Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 690W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 高度 | 16.26mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 15A | ||
最大漏源电压 Vd 1000V | ||
系列 HiperFET, Q3-Class | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.05Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 690W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.3mm | ||
长度 16.26mm | ||
高度 16.26mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 沟道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
IXYS Q3 系列 HiperFET™ 功率 MOSFET 适用于硬开关和谐振模式应用，具备低栅极电荷与卓越的鲁棒性。该器件集成快速本征二极管，提供多种行业标准封装（包括隔离型封装），额定值高达 1100V 和 70A。典型应用包括 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式与谐振模式电源、直流斩波器、温度及照明控制。
快速本征整流二极管
低 RDS (on)与 QG（栅极电荷）
低本征栅极电阻
行业标准封装
低封装电感
高功率密度
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 提供广泛的先进分立功率 MOSFET 器件