STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 3针, TO-220, DeepGate, STripFET系列

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RS 库存编号:
920-8751
制造商零件编号:
STP260N6F6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DeepGate, STripFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

183nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

300W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

4.6mm

标准/认证

No

长度

10.4mm

高度

15.75mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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