DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMG3418L系列
- RS 库存编号:
- 921-1035P
- 制造商零件编号:
- DMG3418L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- 制造商零件编号:
- DMG3418L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 系列 | DMG3418L | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大功耗 Pd | 1.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
最大漏源电压 30 V | ||
系列 DMG3418L | ||
封装类型 SOT-23 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大功耗 Pd 1.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.5nC | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
标准/认证 No | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4mm | ||
高度 1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.5 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
正向二极管电压 1.2V | ||