DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 11.3 A, POWERDI3333, 贴片安装, 8引脚

品牌

DiodesZetex

通道类型

N

最大连续漏极电流

11.3 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

POWERDI3333

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

35 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.1V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2.2 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-25 V、+25 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

13.2 nC @ 10 V

长度

3.35mm

每片芯片元件数目

1

宽度

3.35mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

高度

0.8mm