onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7 A, ECH8，SOT-28FL封装, 表面贴装, 8引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
922-9461
制造商零件编号:
ECH8659-TL-W
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

7 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

ECH8，SOT-28FL

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

55 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.6V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

1.3 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

2

典型栅极电荷@Vgs

11.8 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

长度

2.9mm

宽度

2.3mm

正向二极管电压

1.2V

高度

0.88mm

双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor



MOSFET 晶体管，ON Semiconductor