onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 150 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NTMFS5C628NLT1G, NTMFS系列
- RS 库存编号:
- 922-9572
- 制造商零件编号:
- NTMFS5C628NLT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥44.30
(不含税)
¥50.05
(含税)
有库存
- 1,075 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB8.86 | RMB44.30 |
| 25 - 95 | RMB8.636 | RMB43.18 |
| 100 - 245 | RMB8.422 | RMB42.11 |
| 250 - 745 | RMB8.21 | RMB41.05 |
| 750 + | RMB8.006 | RMB40.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 922-9572
- 制造商零件编号:
- NTMFS5C628NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | DFN | |
| 系列 | NTMFS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 DFN | ||
系列 NTMFS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.1mm | ||
汽车标准 否 | ||