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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1495 | RMB8.724 |
| 1500 + | RMB8.462 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 164-8285P
- 制造商零件编号:
- DG612EEN-T1-GE4
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | miniQFN | |
| 尺寸 | 2.7 x 1.9 x 0.55mm | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
引脚数目 16 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 miniQFN | ||
尺寸 2.7 x 1.9 x 0.55mm | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
DG611E、DG612E 和 DG613E 包含四个可独立选择的 SPST 开关。它们的性能优于行业标准 DG611 系列。DG611E 和 DG612E 的所有开关分别为常闭和常开,而 DG613E 有 2 个常开和 2 个常闭开关。它们设计为从 3 V 至 12 V 单电源或从 ± 3 V 至 ± 5 V 双电源供电,并完全符合 +3 V、+5 V 和 ± 5 V 的规格。所有控制逻辑输入在从 +5 V 或 ± 5 V 电源供电时均保证 2 V 逻辑高限,在从 +3 V 电源供电时保证 1.4 V。
低电荷注入(典型值 1.4 pC)
漏电流 < 0.25 nA(85 °C 时)
低开关电容(典型值 Csoff 3 pF)
低 RDS(on) - 115 (最大值)
完全符合单电源供电
3 V、5 V 和双电源供电 ± 5 V
低电压,2.5 V CMOS/TTL 兼容
1 GHz,3 dB 带宽
出色的隔离性能(10 MHz 时为 -59 dB)
出色的串扰性能(10 MHz 时为 -74 dB)
漏电流 < 0.25 nA(85 °C 时)
低开关电容(典型值 Csoff 3 pF)
低 RDS(on) - 115 (最大值)
完全符合单电源供电
3 V、5 V 和双电源供电 ± 5 V
低电压,2.5 V CMOS/TTL 兼容
1 GHz,3 dB 带宽
出色的隔离性能(10 MHz 时为 -59 dB)
出色的串扰性能(10 MHz 时为 -74 dB)
