Cypress Semiconductor 1Mbit NVRAM, 串行 - SPI接口, 128K x 8 位, DFN, 8针
- RS 库存编号:
- 181-8264
- 制造商零件编号:
- CY14B101Q2-LHXI
- 制造商:
- Cypress Semiconductor
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 181-8264
- 制造商零件编号:
- CY14B101Q2-LHXI
- 制造商:
- Cypress Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Cypress Semiconductor | |
| 存储器大小 | 1Mbit | |
| 组织 | 128K x 8 位 | |
| 接口类型 | 串行 - SPI | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | DFN | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 尺寸 | 6 x 5 x 0.73mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 0.73mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 字组数目 | 128K | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Cypress Semiconductor | ||
存储器大小 1Mbit | ||
组织 128K x 8 位 | ||
接口类型 串行 - SPI | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 DFN | ||
引脚数目 8 | ||
尺寸 6 x 5 x 0.73mm | ||
长度 6mm | ||
宽度 5mm | ||
高度 0.73mm | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
字组数目 128K | ||
1-Mbit 非易失性静态随机存取存储器( NVSRAM )
内部组织为 128K x 8
存储到 QuantumTrap 非易失性元素、这些元素在关机时自动启动(自动存储)、或由用户使用 HSB 引脚(硬件存储)或 SPI 指令(软件存储)
启动时启动的 SRAM 调用(加电调用)或 SPI 指令(软件调用)
使用小电容器( CY14B101Q1 除外)自动断电存储
高可靠性
无限读取、写入和调用周期
100 万个存储周期到 QuantumTrap
数据保留: 20 年
高速串行外围接口 (SPI)
40 MHz 时钟频率
支持 SPI 模式 0 ( 0 、 0 )和模式 3 ( 1 、 1 )
写保护
使用写保护( WP )引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护,适用于 1/4,1/2 或整个阵列
低功耗
单个 3 V +20% 、– 10% 操作
40 MHz 工作时 10 mA 的平均活动电流
行业标准配置
工业温度
CY14B101Q1 的针脚配置与工业标准 8 针 NV 内存相同
8 引脚双扁平无引线( DFN )封装和 16 引脚小型集成电路( SOIC )封装
内部组织为 128K x 8
存储到 QuantumTrap 非易失性元素、这些元素在关机时自动启动(自动存储)、或由用户使用 HSB 引脚(硬件存储)或 SPI 指令(软件存储)
启动时启动的 SRAM 调用(加电调用)或 SPI 指令(软件调用)
使用小电容器( CY14B101Q1 除外)自动断电存储
高可靠性
无限读取、写入和调用周期
100 万个存储周期到 QuantumTrap
数据保留: 20 年
高速串行外围接口 (SPI)
40 MHz 时钟频率
支持 SPI 模式 0 ( 0 、 0 )和模式 3 ( 1 、 1 )
写保护
使用写保护( WP )引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护,适用于 1/4,1/2 或整个阵列
低功耗
单个 3 V +20% 、– 10% 操作
40 MHz 工作时 10 mA 的平均活动电流
行业标准配置
工业温度
CY14B101Q1 的针脚配置与工业标准 8 针 NV 内存相同
8 引脚双扁平无引线( DFN )封装和 16 引脚小型集成电路( SOIC )封装
