Infineon 4 MB NVRAM, 并联接口, 512 k x 8 Bit, 最长随机存取45 ns, TSOP, 44引脚
- RS 库存编号:
- 194-9071
- 制造商零件编号:
- CY14B104LA-ZS25XI
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 135 - 540 | RMB332.812 | RMB44,929.62 |
| 675 + | RMB326.156 | RMB44,031.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 194-9071
- 制造商零件编号:
- CY14B104LA-ZS25XI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 存储器大小 | 4MB | |
| 产品类型 | NVRAM | |
| 接口类型 | 并联 | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 45ns | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 18.51mm | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 字组数目 | 512K | |
| 供应进气口螺纹性别 | 70mA | |
| 最低电源电压 | 2.7V | |
| 每字组的位元数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 最大电源电压 | 3.6V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
存储器大小 4MB | ||
产品类型 NVRAM | ||
接口类型 并联 | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 45ns | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 TSOP | ||
引脚数目 44 | ||
高度 1.04mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 18.51mm | ||
最高工作温度 85°C | ||
字组数目 512K | ||
供应进气口螺纹性别 70mA | ||
最低电源电压 2.7V | ||
每字组的位元数目 8 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
汽车标准 否 | ||
最大电源电压 3.6V | ||
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA 是一种快速静态 RAM (SRAM)，每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为 512K 字节（每个字节 8 位）或 256K 字（每个字节 16 位）。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术，可产生可靠的非易失性存储器。SRAM 提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则驻留在高度可靠的 QuantumTrap 单元中。断电时，数据从 SRAM 传输到非易失性元件（存储操作）。通电时，数据从非易失性存储器恢复到 SRAM（调用操作）。存储和调用操作也可在软件控制下进行。