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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	4Mbit
	组织	512K x 8 位
	接口类型	并行
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	45ns
	安装类型	贴片
	封装类型	TSOP
	引脚数目	44
	尺寸	18.51 x 10.26 x 1.04mm
	长度	18.51mm
	宽度	10.26mm
	高度	1.04mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	最高工作温度	+85°C
	每字组的位元数目	8Bit
	字组数目	512K
	最小工作电源电压	2.7 V
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 4Mbit
	组织 512K x 8 位
	接口类型并行
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 45ns
	安装类型贴片
	封装类型 TSOP
	引脚数目 44
	尺寸 18.51 x 10.26 x 1.04mm
	长度 18.51mm
	宽度 10.26mm
	高度 1.04mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	最高工作温度 +85°C
	每字组的位元数目 8Bit
	字组数目 512K
	最小工作电源电压 2.7 V
	最低工作温度 -40°C

Datasheet CY14B104LA-ZS25XI

Cypress CY14B104LA/CY14B104NA 是一种快速静态 RAM (SRAM)，每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为 512K 字节（每个字节 8 位）或 256K 字（每个字节 16 位）。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术，可产生可靠的非易失性存储器。SRAM 提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则驻留在高度可靠的 QuantumTrap 单元中。断电时，数据从 SRAM 传输到非易失性元件（存储操作）。通电时，数据从非易失性存储器恢复到 SRAM（调用操作）。存储和调用操作也可在软件控制下进行。

单位	每单位	Per Tray*
135 - 540	RMB345.801	RMB46,683.14
675 +	RMB338.885	RMB45,749.48

Infineon 4Mbit NVRAM, 并行接口, 512K x 8 位, 最长随机存取45ns, TSOP, 44针

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。