Infineon 4Mbit NVRAM, 并行接口, 512K x 8 位, 最长随机存取45ns, TSOP, 44针
- RS 库存编号:
- 194-9072
- 制造商零件编号:
- CY14B104LA-ZS25XI
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 194-9072
- 制造商零件编号:
- CY14B104LA-ZS25XI
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 内存大小 | 4Mbit | |
| 组织 | 512K x 8 位 | |
| 接口类型 | 并行 | |
| 数据总线宽度 | 8Bit | |
| 最长随机存取时间 | 45ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 44 | |
| 尺寸 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | |
| 长度 | 18.51mm | |
| 宽度 | 10.26mm | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 最高工作温度 | +85°C | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 字组数目 | 512K | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
内存大小 4Mbit | ||
组织 512K x 8 位 | ||
接口类型 并行 | ||
数据总线宽度 8Bit | ||
最长随机存取时间 45ns | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 TSOP | ||
引脚数目 44 | ||
尺寸 18.51 x 10.26 x 1.04mm | ||
长度 18.51mm | ||
宽度 10.26mm | ||
高度 1.04mm | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
最高工作温度 +85°C | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
字组数目 512K | ||
最低工作温度 -40°C | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Cypress CY14B104LA/CY14B104NA 是一种快速静态 RAM (SRAM)，每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为 512K 字节（每个字节 8 位）或 256K 字（每个字节 16 位）。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术，可产生可靠的非易失性存储器。SRAM 提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则驻留在高度可靠的 QuantumTrap 单元中。断电时，数据从 SRAM 传输到非易失性元件（存储操作）。通电时，数据从非易失性存储器恢复到 SRAM（调用操作）。存储和调用操作也可在软件控制下进行。