Infineon 4 MB NVRAM, 并联接口, 最长随机存取45 ns, TSOP, 44引脚

Cypress CY14B104LA/CY14B104NA 是一种快速静态 RAM (SRAM)，每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器组织为 512K 字节（每个字节 8 位）或 256K 字（每个字节 16 位）。嵌入式非易失性元件采用 QuantumTrap 技术，可产生可靠的非易失性存储器。SRAM 提供无限的读写周期，而独立的非易失性数据则驻留在高度可靠的 QuantumTrap 单元中。断电时，数据从 SRAM 传输到非易失性元件（存储操作）。通电时，数据从非易失性存储器恢复到 SRAM（调用操作）。存储和调用操作也可在软件控制下进行。