onsemi 运算放大器, 双电源, 8针, 双通道, SOIC, 贴片安装, ±2 → ±18V, 2V/μs
- RS 库存编号:
- 103-5114
- 制造商零件编号:
- MC33178DR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB1.596 | RMB3,990.00 |
| 5000 - 7500 | RMB1.532 | RMB3,830.00 |
| 10000 + | RMB1.501 | RMB3,752.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 103-5114
- 制造商零件编号:
- MC33178DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 电源类型 | 双 | |
| 每片芯片通道数目 | 2 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 典型增加带宽产品 | 5MHz | |
| 典型双电源电压 | ±2 → ±18V | |
| 典型转换速率 | 2V/µs | |
| 最大工作频率 | 100 kHz | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 轨对轨 | 无 | |
| 典型电压增益 | 106 dB | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型输入电压噪声密度 | 8nV/√Hz | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
电源类型 双 | ||
每片芯片通道数目 2 | ||
引脚数目 8 | ||
典型增加带宽产品 5MHz | ||
典型双电源电压 ±2 → ±18V | ||
典型转换速率 2V/µs | ||
最大工作频率 100 kHz | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
轨对轨 无 | ||
典型电压增益 106 dB | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
典型输入电压噪声密度 8nV/√Hz | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
MC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器，ON Semiconductor
ON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术，用于高质量音频和数据信号处理应用。
它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。
它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。
它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。
它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。
600 W 输出驱动能力
大输出电压摆幅
低偏置电压：0.15 mV（平均值）
低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时）
高增益带宽：5 MHz
高转换速率：2 V/μs
双电源操作：±2 V 至 ±18 V
输入上的静电放电钳位
大输出电压摆幅
低偏置电压：0.15 mV（平均值）
低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时）
高增益带宽：5 MHz
高转换速率：2 V/μs
双电源操作：±2 V 至 ±18 V
输入上的静电放电钳位
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
运算放大器，ON Semiconductor