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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 12 | RMB32.91 | RMB65.82 |
| 14 - 24 | RMB32.195 | RMB64.39 |
| 26 + | RMB31.495 | RMB62.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7176
- 制造商零件编号:
- VO1263AB
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 输出设备 | MOSFET | |
| 最大正向电压 | 1.6V | |
| 通道数目 | 1 | |
| 针数目 | 8 | |
| 封装类型 | DIP | |
| 最大输入电流 | 50 mA | |
| 隔离电压 | 5.3 kVrms | |
| 逻辑输出 | 是 | |
| 系列 | VO | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
安装类型 通孔 | ||
输出设备 MOSFET | ||
最大正向电压 1.6V | ||
通道数目 1 | ||
针数目 8 | ||
封装类型 DIP | ||
最大输入电流 50 mA | ||
隔离电压 5.3 kVrms | ||
逻辑输出 是 | ||
系列 VO | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
VO1263AB 和 VO1263AAC 光伏 MOSFET 驱动器由两个与两个光电二极管阵列光学耦合的 LED 组成。光电二极管阵列为浮动源提供足够的电压和电流来驱动大功率 MOSFET 晶体管。光电耦合提供高 I/O 隔离电压。为了关闭 MOSFET，需要外部电阻（栅-源）进行栅极放电。
高开路电压，高达 14.6 V 典型值
高短路电流，高达 42 μA 典型值
隔离测试电压 5300 V 有效值
应用：
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源
高短路电流，高达 42 μA 典型值
隔离测试电压 5300 V 有效值
应用：
高侧驱动器
固态继电器
浮动电源