Hamamatsu 800nm近红外辐射光电二极管, 3p, TO-18封装, 硅
- RS 库存编号:
- 482-440
- 制造商零件编号:
- S12086
- 制造商:
- Hamamatsu Photonics
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- RS 库存编号:
- 482-440
- 制造商零件编号:
- S12086
- 制造商:
- Hamamatsu Photonics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Hamamatsu Photonics | |
| 检测频谱 | 近红外辐射 | |
| 峰值灵敏度的波长 | 800nm | |
| 封装类型 | TO-18 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 针数目 | 3 | |
| 二极管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Hamamatsu Photonics | ||
检测频谱 近红外辐射 | ||
峰值灵敏度的波长 800nm | ||
封装类型 TO-18 | ||
安装类型 通孔 | ||
针数目 3 | ||
二极管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
Hamamatsu Photonics 硅雪崩光电二极管 (Si APD) 针对近红外光检测进行了优化。它可在低偏置电压下高效运行，设计用于需要高速响应和精确光测量的应用。
低噪音
高速响应
高灵敏度
高速响应
高灵敏度